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STH80N10F7-2

Ultra low on-resistance

Description Thesedevicesutilizethe7thgenerationofdesignrulesofST’sproprietarySTripFET?technology,withanewgatestructure.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. ?Extremelylowgatecharge ?Ultralowon-resistance ?Lowgateinputresistance A

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STH80N10F7-2

Marking：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STH80N10F7-2

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

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更多STH80N10F7-2供應商 更新時間2025-2-21 8:30:00

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