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STGWT20H65FB

Marking:GWT20H65FB;Package:TO-3P;Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT20H65FB

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 650V 40A 168W TO3P

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGFW20H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,20Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW20H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,20Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGWT20H65FB

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    77μJ(開),170μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    30ns/139ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 650V 40A 168W TO3P

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST
21+
TO-3P
10000
勤思達(dá)只做原裝 現(xiàn)貨庫(kù)存 支持支持實(shí)單
詢價(jià)
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22+
30000
原裝現(xiàn)貨,可追溯原廠渠道
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23+
TO-3P
12500
ST系列在售,可接長(zhǎng)單
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19587
專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈正邁科技特價(jià)代理QQ1304306553
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更多STGWT20H65FB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-20 9:02:00