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STGW30H65FB

Marking：GW30H65FB；Package：TO-247；Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW30H65FB

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V 30A 260W TO-247

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGFW30H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,30Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP30H65F

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT30H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,30Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGW30H65FB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    151μJ（開），293μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    37ns/146ns

  • 測試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 650V 30A 260W TO-247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價
STMicroelectronics
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
ST
23+
TO247
6996
只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
原廠原包
24+
原裝
38560
原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,工廠客戶可以放款。17377264928微信同
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STMicroelectronics
21+
TO-247-3
600
保證原裝正品 深圳現(xiàn)貨
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ST/意法半導(dǎo)體
22+
TO-247-3
6002
原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票
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ST/意法
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更多STGW30H65FB供應(yīng)商 更新時間2025-2-6 14:53:00

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