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首頁(yè)>STGP30M65DF2>芯片詳情
STGP30M65DF2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):STGP30M65DF2品牌:ST
全新原裝現(xiàn)貨 假一賠十
STGP30M65DF2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-220/TO-220-3的STGP30M65DF2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
STGP30M65DF2
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,30A
- 開(kāi)關(guān)能量:
300μJ(開(kāi)),960μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
31.6ns/115ns
- 測(cè)試條件:
400V,30A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220
- 描述:
IGBT 650V 30A TO-220AB
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市鵬錦翔科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張經(jīng)理
- 詢價(jià):
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北新欣大廈B座320
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