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STGF10M65DF2

Marking:G10M65DF2;Package:TO-220FP;Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in TO-220FP package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGF10M65DF2

Package:TO-220-3 整包;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT TRENCH 650V 20A TO220FP

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G10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alow-lossinD2PAKpackage

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThedeviceispartoftheMseries IGBTs,whichrepresentanoptimalbalance betweeninvertersystemperformanceand efficiencywherelow-lossandshort-circuit functionalityareess

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意法半導體意法半導體集團

STGB10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alowloss

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STGB10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alow-lossinD2PAKpackage

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThedeviceispartoftheMseries IGBTs,whichrepresentanoptimalbalance betweeninvertersystemperformanceand efficiencywherelow-lossandshort-circuit functionalityareess

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STGP10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alowloss

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STGW10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alowloss

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    STGF10M65DF2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    M

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,10A

  • 開關能量:

    120μJ(開),270μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    19ns/91ns

  • 測試條件:

    400V,10A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商器件封裝:

    TO-220FP

  • 描述:

    IGBT TRENCH 650V 20A TO220FP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
STMicroelectronics
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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更多STGF10M65DF2供應商 更新時間2025-1-23 11:08:00