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STGB35N35LZ-1

Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

Description ThisapplicationspecificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH?technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgateemitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGB35N35LZ-1

包裝:管件 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 345V 40A 176W I2PAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGB35N35LZ-1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 4.5V,15A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    1.1μs/26.5μs

  • 測(cè)試條件:

    300V,15A,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    I2PAK(TO-262)

  • 描述:

    IGBT 345V 40A 176W I2PAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ST/意法
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TO-262
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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更多STGB35N35LZ-1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-5 15:48:00