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STGB20N45LZ 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

STGB20N45LZ參考圖片

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原廠料號：STGB20N45LZ品牌：ST

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STGB20N45LZ是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-263/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的STGB20N45LZ晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    STGB20N45LZAG

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    20 頁

  • 文件大?。?/span>

    536.15 kb

  • 資料說明：

    Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGB20N45LZAG

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.25V @ 4V，6A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    1.1μs/4.6μs

  • 測試條件：

    300V，10A，1 千歐，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK（TO-263）

  • 描述：

    POWER TRANSISTORS

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市星佑電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    17665388525

  • 詢價：
  • 電話：

    17665388525

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3007號國際科技大廈2201

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