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STGB19NC60HDT4

19 A - 600 V - very fast IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGB19NC60HDT4

19 A - 600 V - very fast IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

詳細參數(shù)

  • 型號:

    STGB19NC60HDT4

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 N Ch 600V 19A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO-263
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STM
22+
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TO-263-3 (D2PAK)
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ST/意法半導(dǎo)體
22+
D2PAK-3
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原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票
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STM
23+
TO-263-3 (D2PAK)
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原裝現(xiàn)貨支持送檢
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ST/意法
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D2PAK
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ST/意法半導(dǎo)體
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TO-263
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更多STGB19NC60HDT4供應(yīng)商 更新時間2025-2-8 23:00:00