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STD30NE06L中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STD30NE06L
廠商型號

STD30NE06L

功能描述

N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A TO-252

文件大小

286.34 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-29 22:30:00

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STD30NE06L規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size? strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.025 ?

■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ LOW GATE CHARGE 100°C

■ APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

■ ADD SUFFIX T4 FOR ORDERING IN TAPE

& REEL

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STD30NE06L

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 60 Volt 30 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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