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STD30NE06中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STD30NE06
廠商型號(hào)

STD30NE06

功能描述

N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A - DPAK STripFET POWER MOSFET

文件大小

47.12 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-8 22:30:00

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STD30NE06規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique Single Feature Size? strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.025 ?

■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ LOW GATE CHARGE 100 °C

■ APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

■ FOR TAPE & REEL AND OTHER

PACKAGING OPTIONS CONTACT SALES

OFFICES

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STD30NE06

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 30A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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ST/意法
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TO-252
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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