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STD30NE06中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
STD30NE06 |
功能描述 | N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A - DPAK STripFET POWER MOSFET |
文件大小 |
47.12 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-6-8 22:30:00 |
人工找貨 | STD30NE06價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STD30NE06規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique Single Feature Size? strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
■ TYPICAL RDS(on) = 0.025 ?
■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ LOW GATE CHARGE 100 °C
■ APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
■ FOR TAPE & REEL AND OTHER
PACKAGING OPTIONS CONTACT SALES
OFFICES
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
STD30NE06
- 功能描述:
MOSFET N-CH 60V 30A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
4500 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售! |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
8795 |
詢價(jià) | |||
STD30NE06L |
1108 |
1108 |
詢價(jià) | ||||
24+ |
N/A |
2420 |
詢價(jià) | ||||
ST |
17+ |
TO-252 |
6200 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
DPAK |
56000 |
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO252 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) |