STD10P6F6中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
STD10P6F6 |
功能描述 | P-channel 60 V, 0.15 廓 typ., 10 A STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages |
文件大小 |
490.86 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-6-9 10:00:00 |
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STD10P6F6規(guī)格書詳情
Description
These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET? F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.
Features
? Very low on-resistance
? Very low gate charge
? High avalanche ruggedness
? Low gate drive power loss
Applications
? Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
STD10P6F6
- 功能描述:
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST專家 |
23+ |
DPAK |
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詢價(jià) | ||
ST專家 |
25+23+ |
DPAK |
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ST |
25+ |
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ST |
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23+ |
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詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
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ST |
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詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
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詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
8900 |
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詢價(jià) |