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STD10P6F6中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STD10P6F6
廠商型號(hào)

STD10P6F6

功能描述

P-channel 60 V, 0.15 廓 typ., 10 A STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages

文件大小

490.86 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-9 10:00:00

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STD10P6F6規(guī)格書詳情

Description

These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET? F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.

Features

? Very low on-resistance

? Very low gate charge

? High avalanche ruggedness

? Low gate drive power loss

Applications

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STD10P6F6

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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