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STD10NM60ND中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STD10NM60ND
廠商型號

STD10NM60ND

功能描述

N-channel 600 V, 0.57, 8 A, DPAK, TO-220FP, TO-220 FDmesh II Power MOSFET (with fast diode)

絲印標識

10NM60ND

封裝外殼

DPAK

文件大小

1.2278 Mbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-19 23:00:00

STD10NM60ND規(guī)格書詳情

Description

This FDmesh? II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh? technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low onresistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

■ Extremely high dv/dt avalanche capabilities

Applications

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STD10NM60ND

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
23+
NA/
6250
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持!
詢價
ST
2020+
TO-252
15000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
詢價
ST(意法半導體)
23+
TO252
6000
誠信服務,絕對原裝原盤
詢價
ST/意法半導體
21+
TO-252-3
8860
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu)
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ST
TO252
6369
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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ST
22+23+
TO220
20983
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
詢價
ST
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價
ST/意法半導體
21+
TO-252-3
8860
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價
ST(意法半導體)
23+
TO-252
9555
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
詢價
ST
17+
TO-252
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
詢價