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STB5N80K5

N溝道800 V、1.50 Ohm典型值、4 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封裝; ? 業(yè)界領(lǐng)先的低 RDS(on) x 面積 \n? 業(yè)界出色的品質(zhì)因數(shù)（FoM） \n? 極低的柵極電荷 \n? 經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試 \n? 穩(wěn)壓保護(hù);

這款超高壓N-溝道功率MOSFET 采用MDmesh? K5技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)。該技術(shù)以創(chuàng)新專(zhuān)有的垂直工藝為基礎(chǔ)。因此，在要求高功率密度和高效率的應(yīng)用中，導(dǎo)通電阻顯著降低，并具有極低的柵極電荷。\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STB5N80K5

N-channel 800 V, 1.50 (ohm) typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STD5N80K5

N-channel800V,1.50(ohm)typ.,4AMDmeshK5PowerMOSFETinaDPAKpackage

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STF5N80K5

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STF5N80K5

N-channel800V,1.50(ohm)typ.,4AMDmeshK5PowerMOSFETinaTO-220FPpackage

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STFI5N80K5

N-channel800V,1.50廓typ.,4AMDmesh??K5PowerMOSFETinaI?PAKFPpackage

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STP5N80K5

N-channel800V,1.50(ohm)typ.,4AMDmeshK5PowerMOSFETinaTO-220package

Description ThisveryhighvoltageN-channelPowerMOSFETisdesignedusingMDmesh?K5technologybasedonaninnovativeproprietaryverticalstructure.Theresultisadramaticreductioninon-resistanceandultra-lowgatechargeforapplicationsrequiringsuperiorpowerdensityandhighefficie

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    D2PAK

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    800

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    1.75

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    4

  • PTOT_max(W)：

    60

  • Qg_typ(nC)：

    5

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更多STB5N80K5供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 9:00:00

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