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STF33N60DM2

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/33n60dm2/marking.html">33N60DM2；Package：TO-220FP；N-channel 600 V, 0.110 Ω typ., 24 A MDmesh? DM2 Power MOSFET in TO-220FP package

Features ?Fast-recoverybodydiode ?Extremelylowgatechargeandinput capacitance ?Lowon-resistance ?100avalanchetested ?Extremelyhighdv/dtruggedness ?Zener-protected Applications ?Switchingapplications Description ThishighvoltageN-channelPowerMOSFETis partof

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STF33N60DM2

N溝道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220FP封裝; ? Fast-recovery body diode \n? Extremely low gate charge and input capacitance \n? Low on-resistance \n? 100% avalanche tested \n? Extremely high dv/dt ruggedness \n? Zener-protected;

This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh? DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.\n\n

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STL33N60DM2

N-channel600V,0.115(ohm)typ.,21AMDmeshDM2PowerMOSFETinaPowerFLAT8x8HVpackage

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STP33N60DM2

N-channel600V,0.110廓typ.,24AMDmesh??DM2PowerMOSFETinD?PAK,TO-220andTO-247packages

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STW33N60DM2

N-channel600V,0.110廓typ.,24AMDmesh??DM2PowerMOSFETinD?PAK,TO-220andTO-247packages

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技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    TO-220FP

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.13

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    24

  • PTOT_max(W)：

    35

  • Qg_typ(nC)：

    43

  • Features：

    Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)：

    150

  • Qrr_typ(nC)：

    500

  • Peak Reverse Current_nom(A)：

    8.8

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STF33N60DM2供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 15:25:00

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