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STB36NM60ND中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STB36NM60ND
廠商型號(hào)

STB36NM60ND

功能描述

Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II

絲印標(biāo)識(shí)

36NM60ND

封裝外殼

D2PAK

文件大小

1.36347 Mbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-3 22:59:00

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STB36NM60ND規(guī)格書詳情

Description

These FDmesh? II Power MOSFETs with

intrinsic fast-recovery body diode are produced

using the second generation of MDmesh?

technology. Utilizing a new strip-layout vertical

structure, these revolutionary devices feature

extremely low on-resistance and superior

switching performance. They are ideal for bridge

topologies and ZVS phase-shift converters.

Features

? Designed for automotive applications and

AEC-Q101 qualified

? 100 avalanche tested

? Low input capacitance and gate charge

? Low gate input resistance

? Extremely high dv/dt and avalanche

capabilities

Applications

? Automotive switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB36NM60ND

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    POWER MOSFET - Tape and Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST(意法)
23+
NA/
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ST/意法
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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