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STB24NM65N中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB24NM65N
廠商型號

STB24NM65N

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

絲印標識

D2PAK

封裝外殼

TO-263

文件大小

314.2 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-1 11:12:00

STB24NM65N規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Low Drain-Source On-Resistance

FEATURES

? Drain Current –ID= 19A@ TC=25℃

? Drain Source Voltage-

: VDSS= 650V(Min)

? Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 190mΩ (Max)

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

? Switching application

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STB24NM65N

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 650V 0.16 Ohms 19A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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