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STB24NM60N中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
STB24NM60N規(guī)格書詳情
Description
These N-channel 600 V Power MOSFET devices
are made using the second generation of
MDmesh? technology. This revolutionary Power
MOSFET associates a new vertical structure to
the company’s strip layout to yield one of the
world’s lowest on-resistance and gate charge. It is
therefore suitable for the most demanding high
efficiency converter.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STB24NM60N
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
3550 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持! |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術支持、樣品免費! |
詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
24+ |
TO-263-3 |
7188 |
秉承只做原裝 終端我們可以提供技術支持 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
NA |
1000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu) |
詢價 | ||
STM |
TO-263 |
699839 |
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
STMicroelectronics Asia Pacifi |
23+ |
SMD |
918000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 |
