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STB18NM60N	文件：1.18003 Mbytes Page：21 Pages	N-channel 600 V, 0.26 廓 typ., 13 A MDmesh??II Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STB18NM60N	文件：297.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel Mosfet Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STB18NM60N	文件：998.82 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600 V, 0.27 廓, 13 A MDmesh??II Power MOSFET in TO-220, TO-220FP, TO-247, D?PAK and I?PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STB18NM60ND	文件：1.42346 Mbytes Page：22 Pages	N-channel 600 V - 0.25 typ., 13 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STB18NM60ND	文件：313.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STF18NM60N	文件：294.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STF18NM60N	文件：1.18003 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.26廓typ.,13AMDmesh??IIPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FP,TO-220andTO-247 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STF18NM60N	文件：998.82 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.27廓,13AMDmesh??IIPowerMOSFETinTO-220,TO-220FP,TO-247,D?PAKandI?PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STF18NM60N	文件：1.18003 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.26廓typ.,13AMDmesh??IIPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FP,TO-220andTO-247 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STF18NM60ND	文件：311.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STF18NM60ND	文件：1.42346 Mbytes Page：22 Pages	N-channel600V-0.25typ.,13AFDmeshIIPowerMOSFET(withfastdiode)inD2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STI18NM60N	文件：998.82 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.27廓,13AMDmesh??IIPowerMOSFETinTO-220,TO-220FP,TO-247,D?PAKandI?PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STL18NM60N	文件：610.57 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V,0.260廓,6APowerFLAT??8x8HVMDmesh??IIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP18NM60N	文件：998.82 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.27廓,13AMDmesh??IIPowerMOSFETinTO-220,TO-220FP,TO-247,D?PAKandI?PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP18NM60N	文件：1.18003 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.26廓typ.,13AMDmesh??IIPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FP,TO-220andTO-247 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP18NM60N	文件：303.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STP18NM60ND	文件：320.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STP18NM60ND	文件：1.42346 Mbytes Page：22 Pages	N-channel600V-0.25typ.,13AFDmeshIIPowerMOSFET(withfastdiode)inD2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STW18NM60N	文件：998.82 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.27廓,13AMDmesh??IIPowerMOSFETinTO-220,TO-220FP,TO-247,D?PAKandI?PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STW18NM60N	文件：1.18003 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.26廓typ.,13AMDmesh??IIPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FP,TO-220andTO-247 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
STB18NM60N
功能描述：
MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13 A MDmesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	STB18NM60N	ST	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
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中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	STB18NM60N	ST	20+	D2PAK	36900	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
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深圳市興燦科技有限公司	STB18NM60N	STM原廠目錄	24+	D2PAK	28500	授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價(jià)銷售	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	STB18NM60N	ST/意法	23+	D2PAK	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市易訊博科技有限公司	STB18NM60N		22+	NA	3000	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	STB18NM60N		23+		50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
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