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SSM6N15FE	文件：180.43 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Switching Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
FQB6N15	文件：764.65 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET Features ?6.4A,150V,RDS(on)=0.6?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical6.5nC) ?LowCrss(typical9.6pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD6N15	文件：757.28 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQI6N15	文件：764.65 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET Features ?6.4A,150V,RDS(on)=0.6?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical6.5nC) ?LowCrss(typical9.6pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP6N15	文件：295.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQP6N15	文件：748.71 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQPF6N15	文件：744.48 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQU6N15	文件：330.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQU6N15	文件：757.28 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
MTD6N15	文件：231.95 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES150VOLTSRDS(on)=0.3OHM PowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisTMOSPowerFETisdesignedforhighspeed,lowlosspowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. ?SiliconGateforFastSwitchingSp	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD6N15	文件：88.65 Kbytes Page：8 Pages	PowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTD6N15	文件：345.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,p	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTD6N15I	文件：359.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,p	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NTD6N15	文件：298.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NTD6N15	文件：1.66479 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
SSM6N15AFE	文件：173.2 Kbytes Page：5 Pages	LoadSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
SSM6N15AFU	文件：197.54 Kbytes Page：5 Pages	LoadSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
SSM6N15FU	文件：154.65 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchingApplications ?Smallpackage ?LowONresistance:Ron=4.0?(max)(@VGS=4V) :Ron=7.0?(max)(@VGS=2.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
SSM6N15FU	文件：945.85 Kbytes Page：6 Pages	DualN-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
UF6N15Z	文件：144.99 Kbytes Page：3 Pages	6A,150VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC

詳細參數(shù)

型號：
SSM6N15FE
制造商：
TOSHIBA
制造商全稱：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
High Speed Switching Applications

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導體（深圳）有限公司	SSM6N15FE	TOSHIBA/東芝	24+	ES6	45000	熱賣優(yōu)勢現(xiàn)貨	詢價
深圳市弘為電子有限公司	SSM6N15FE	TOSHIBA	24+	ES6	42590	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SSM6N15FE	TOSHIBA/東芝	2019+PB	ES6	11900	原裝正品可含稅交易	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	SSM6N15FE	TOSHIBA/東芝	2021+	SOT-563-6	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	SSM6N15FE	TOSHIBA	2016+	SOT363	6528	只做原廠原裝現(xiàn)貨!終端客戶個別型號可以免費送樣品!	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	SSM6N15FE	TOSHIBA	23+	SOT363	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市恒創(chuàng)達實業(yè)有限公司	SSM6N15FE	TOS	17+	SOT-666	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	SSM6N15FE	TOSHIBA	23+	ES6	6680	全新原裝優(yōu)勢	詢價
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深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	SSM6N15FE	TOSHIBA	2020+	SOT363	350000	100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存	詢價

更多SSM6N15FE供應商更新時間2025-1-14 10:12:00

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