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IPD50N03S2L-06

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD50N03S2L-06

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPD50N03S2L-06

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD50N03S2L-06G

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPD50N03S2L-06G

N-ChannelEnhancementmodeLogicLevelExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SPD50N03S2L-06 G

  • 功能描述：

    MOSFET POWER MOSFET DISCRETE

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原裝正品,假一罰十
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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保證原裝正品,假一陪十
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多SPD50N03S2L-06 G供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 15:36:00

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