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50P03	文件：1.0229 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
50P03L	文件：1.02287 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CEB50P03	文件：104.25 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-47A,RDS(ON)=20m?@VGS=-10V. RDS(ON)=32m?@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB50P03	文件：967.38 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CEB50P03	文件：900.88 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-47A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP50P03	文件：900.88 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-47A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP50P03	文件：104.25 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-47A,RDS(ON)=20m?@VGS=-10V. RDS(ON)=32m?@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CJAC50P03	文件：1.72149 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
EMB50P03G	文件：213.14 Kbytes Page：5 Pages	P??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)60mΩ ID‐6A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB50P03J	文件：198.13 Kbytes Page：5 Pages	P??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB50P03JS	文件：198.66 Kbytes Page：5 Pages	P??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)50mΩ ID‐4.5A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB50P03K	文件：202.48 Kbytes Page：5 Pages	P??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB50P03VAT	文件：185.37 Kbytes Page：5 Pages	P??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
HM50P03	文件：1.24973 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM50P03D	文件：502.28 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM50P03K	文件：1.04593 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
JMTK50P03A	文件：676.665 Kbytes Page：7 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
MT50P03	文件：1.02319 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTB50P03HDL	文件：182.05 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL50AMPERES30VOLTS HDTMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount P-channelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponen	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTB50P03HDL	文件：143.96 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SPD50P03L G
功能描述：
MOSFET P-CH 30V 50A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	SPD50P03LG	INFINEON	24+	PG-TO252-5	8866		詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	SPD50P03LG	INFINEON	17+	TO-252	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	SPD50P03LG	Infineon	23+	TO-252-5-3	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	SPD50P03LG	INFINEON	23+	TO252	12335		詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司（原深創(chuàng)輝科技）	SPD50P03LG	Infineon	11+		2500	原裝正品長(zhǎng)期供貨，如假包賠包換徐小姐13714450367	詢價(jià)
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深圳市卓越微芯電子有限公司	SPD50P03LG	INFINE0N	2020+	TO-252	3654	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	SPD50P03LG	Infineon	18+	NA	3916	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	SPD50P03LG	INFINEON	2018+	TO-252	11256	只做進(jìn)口原裝正品!假一賠十!	詢價(jià)
深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司	SPD50P03LG	INFINEON	22+	TO-252-4	3132	原裝現(xiàn)貨庫(kù)存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)

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