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IPD50N03S2-07

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD50N03S2-07

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

SPD50N03S2-07

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD50N03S2-07

OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD50N03S2-07G

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

SPD50N03S2-07G

OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPDF50N03S2-07

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SPD50N03S2-07 G

  • 功能描述:

    MOSFET POWER MOSFET DISCRETE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單
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更多SPD50N03S2-07 G供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 10:00:00