SNSS35200MR6T1G 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

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1+	面議

廠家型號：
SNSS35200MR6T1G
產品分類：
芯片
生產廠商：
ONSEMI/安森美半導體
庫存數量：
3000
產品封裝：
SOT23-6
生產批號：
23+
庫存類型：
優(yōu)勢庫存
更新時間：
2025-1-1 10:34:00

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原廠料號：SNSS35200MR6T1G品牌：ONSEMI/安森美

專業(yè)供應MOS/LDO/晶體管/有大量價格低

SNSS35200MR6T1G是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ONSEMI/安森美/onsemi生產封裝SOT23-6/SOT-23-6 細型，TSOT-23-6的SNSS35200MR6T1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

芯片型號：
SNSS35200MR6T1G
規(guī)格書：
下載
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數：
6 頁
文件大小：
120.66 kb
資料說明：
35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

產品屬性

類型
描述
產品編號：
SNSS35200MR6T1G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
卷帶（TR）
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
310mV @ 20mA，2A
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1.5A，1.5V
頻率 - 躍遷：
100MHz
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
供應商器件封裝：
6-TSOP
描述：
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

供應商

企業(yè)：
深圳市中福國際管理有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯系人：
張先生
手機：
13266709901
詢價：
電話：
0755-82571134
地址：
深圳市福田區(qū)福虹路世貿廣場B座22F

SNSS35200MR6T1G 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

SNSS35200MR6T1G

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