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SSF7N60A	文件：256.51 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SSF7N60B	文件：656.87 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SSF7N60B	文件：265.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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SSP7N60	文件：915.55 Kbytes Page：11 Pages	600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SSP7N60A	文件：234.51 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=600V ■LowerRDS(ON):0.977Ω(Typ.)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
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