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SSI7N60B	文件：656.22 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSI7N60B	文件：274.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSP7N60	文件：915.55 Kbytes Page：11 Pages	600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSP7N60A	文件：234.51 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=600V ■LowerRDS(ON):0.977Ω(Typ.)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
SSP7N60A	文件：280.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSP7N60B	文件：280.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSP7N60B	文件：915.55 Kbytes Page：11 Pages	600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSS7N60	文件：280.03 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
SSS7N60A	文件：320.96 Kbytes Page：6 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
SSS7N60B	文件：314.21 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSS7N60B	文件：915.55 Kbytes Page：11 Pages	600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSW7N60	文件：656.22 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSW7N60	文件：1.10909 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SSW7N60A	文件：362.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSW7N60B	文件：362.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSW7N60B	文件：656.22 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SVF7N60T	文件：1.08431 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SW7N60	文件：311.92 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET [SAMWIN] GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedinCHMCwithadvancedVDMOSprocess,planarstripe.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacterist	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
SW7N60	文件：404.29 Kbytes Page：5 Pages	N-channelMosfet	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW7N60A	文件：762.33 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SSI7N60B
功能描述：
MOSFET 600V Single
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市星佑電子有限公司	SSI7N60B	仙童	05+	TO-262	2500	原裝進(jìn)口	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	SSI7N60B	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	SSI7N60B		24+	TO-262	6430	原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢	詢價(jià)
深圳市正邁科技有限公司	SSI7N60BTU	FSC/ON	23+	原包裝原封 □□	964	原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢庫存	詢價(jià)
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更多SSI7N60B供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 9:16:00

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