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SKP06N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor:Motorcontrols,Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebeh

InfineonInfineon Technologies AG

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SKP06N60

Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

InfineonInfineon Technologies AG

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SKP06N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

InfineonInfineon Technologies AG

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SKP06N60_07

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

InfineonInfineon Technologies AG

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SKP06N60XKSA1

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 12A 68W TO220-3

InfineonInfineon Technologies AG

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06N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

AIHD06N60R

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AIHD06N60RF

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

InfineonInfineon Technologies AG

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CJP06N60

PowerfiledEffectTransistor

FEATURES ◆RobustHighVoltageTermination ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

CMT06N60

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

CHAMPChampion Microelectronic Corp.

虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SKP06N60

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 6A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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 詢價(jià)
更多SKP06N60供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 16:00:00

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