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SIHH27N60EF	文件：189.99 Kbytes Page：10 Pages	E Series Power MOSFET With Fast Body Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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IRFP27N60K	文件：211.37 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent ?EnhancedbodydiodedV/dtcapability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP27N60K	文件：214.44 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP27N60K	文件：445.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.22?(MAX) ?Enhancementmode: Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP27N60K	文件：91.43 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)typ.=180mohm,Id=27A) HEXFET?PowerMOSFET Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications HardSwitch	IRF International Rectifier	IRF
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IRFP27N60KPBF	文件：596.56 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications ●HardSwitchingPrimaryorPFCSwitch ●SwitchM	IRF International Rectifier	IRF
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