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IRFP27N60K

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)typ.=180mohm, Id=27A)

HEXFET?PowerMOSFET Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications HardSwitch

IRF

International Rectifier

IRFP27N60K

iscN-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.22?(MAX) ?Enhancementmode: Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFP27N60K

Power MOSFET

FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent ?EnhancedbodydiodedV/dtcapability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFP27N60K

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFP27N60K

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFP27N60K

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFP27N60K_V02

Power MOSFET

FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent ?EnhancedbodydiodedV/dtcapability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFP27N60KPBF

HEXFET Power MOSFET

Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications ●HardSwitchingPrimaryorPFCSwitch ●SwitchM

IRF

International Rectifier

IRFP27N60K_17

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFP27N60K_V01

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFP27N60KPBF

Power MOSFET

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IRFP27N60KPBF

Power MOSFET

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFP27N60K

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 600V 27 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
IR
24+
TO-247
1650
詢價
IR
23+
TO-247
9562
詢價
IR
2015+
TO-247AC
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)
 詢價
IR
16+
原廠封裝
228
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
IR
23+
TO-3P
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
IR
23+
TO-247AC
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
IR
1816+
TO-247
6523
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
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IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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IR
19+
TO-247
74911
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價
更多IRFP27N60K供應(yīng)商 更新時間2024-10-26 13:51:00

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