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SIHH11N60EF

EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHH11N60EF_V01

EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHH11N60EF-T1-GE3

EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SPA11N60CFD

IscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTO-220Fpackage ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?Reducedswitchingandconductionlosses ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplica

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SPA11N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelylowreverserecoverycharge ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Periodicavalancherated ?QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplication

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPA11N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPA11N60CFD

CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI11N60CFD

NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargePeriodicavalancherated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI11N60CFD

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SPP11N60CFD

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS)

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

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更多SIHH11N60EF供應商 更新時間2025-2-26 14:16:00

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