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首頁>SIHB23N60E-GE3>芯片詳情
SIHB23N60E-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS柒號(hào)芯城
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SIHB23N60E-GE3
- 功能描述:
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
- RoHS:
否
- 制造商:
Vishay/Siliconix
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
20 V
- 漏極連續(xù)電流:
23 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.158 Ohms
- 配置:
Single
- 最大工作溫度:
+ 150 C
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
D2PAK-3
- 封裝:
Bulk
供應(yīng)商
- 企業(yè):
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
連小若
- 手機(jī):
18922805453
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83663056
- 傳真:
0755-83209937
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓
相近型號(hào)
- SIHB22N60E-GE3
- SIHB33N60E
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