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SIHB12N50C

Power MOSFETs

FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB12N50C

Power MOSFET

FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB12N50C

Marking：D2PAK；Package：TO-263；iscN-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHB12N50C-E3

100 Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB12N50C-E3

Power MOSFETs

FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB12N50C-E3

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SIHB12N50C-E3

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB12N50E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Comput

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB12N50E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Computing

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB12N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SIHB12N50C

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel 500V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay
20+
TO-263
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
VISHAY/威世
23+
TO-263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
VISHAY/威世
22+
TO-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價
VISHAY/威世
23+
TO-263
10000
公司只做原裝正品
 詢價
VISHAY/威世
23+
TO-263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
VISHAY/威世
21+
TO-263
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
VISHAY/威世
2022
TO-263
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價
VISHAY/威世
2022+
TO-263
50000
原廠代理 終端免費提供樣品
 詢價
VISHAY/威世
23+
NA/
18500
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價
VISHAY/威世
2022+
TO-220
30000
進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
 詢價
更多SIHB12N50C供應(yīng)商 更新時間2025-2-19 20:46:00

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