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SIHB12N50C	文件：328.62 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFETs FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB12N50C	文件：274.74 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB12N50C	文件：322.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHB12N50C-E3	文件：153.36 Kbytes Page：8 Pages	100 Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB12N50C-E3	文件：328.62 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFETs FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB12N50C-E3	文件：1.038089 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SIHB12N50C-E3	文件：274.74 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB12N50E	文件：208.49 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Comput	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB12N50E	文件：209.41 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Computing	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB12N50E	文件：322.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHD12N50E	文件：194.47 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHD12N50E	文件：250.26 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHF12N50C	文件：328.62 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFETs FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF12N50C	文件：274.74 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF12N50C	文件：1.038089 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SIHP12N50C	文件：153.36 Kbytes Page：8 Pages	100AvalancheTestedComplianttoRoHSDirective2002/95/EC FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHP12N50C	文件：274.74 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHP12N50C	文件：328.62 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFETs FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHP12N50C	文件：328.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHP12N50E	文件：328.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SIHB12N50C
功能描述：
MOSFET N-Channel 500V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	SiHB12N50C	Vishay	20+	TO-263	36900	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	SiHB12N50C	VISHAY/威世	23+	TO-263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市仟禧電子有限公司	SiHB12N50C	VISHAY/威世	22+	TO-263	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	SiHB12N50C	VISHAY/威世	23+	TO-263	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	SiHB12N50C	VISHAY/威世	23+	TO-263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	SiHB12N50C	VISHAY/威世	21+	TO-263	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	SiHB12N50C	VISHAY/威世	2022	TO-263	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SiHB12N50C	VISHAY/威世	2022+	TO-263	50000	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	SiHB12N50C	VISHAY/威世	23+	NA/	18500	優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	SIHB12N50C	VISHAY/威世	2022+	TO-220	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢價(jià)

更多SIHB12N50C供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-9 17:18:00

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