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SIHB15N60E-GE3

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHA15N60E-GE3

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF15N60E-GE3

ESeriesPowerMOSFET

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG15N60E-GE3

ESeriesPowerMOSFET

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP15N60E-GE3

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SIHB15N60E-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay Siliconix
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D2PAK(TO-263)
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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更多SIHB15N60E-GE3供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 14:14:00