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SI9912DY-T1集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

SI9912DY-T1
廠商型號

SI9912DY-T1

參數(shù)屬性

SI9912DY-T1 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

Half-Bridge MOSFET Driver for Switching Power Supplies
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

95.15 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-7 18:34:00

SI9912DY-T1規(guī)格書詳情

SI9912DY-T1屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由威世科技半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的SI9912DY-T1柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

DESCRIPTION

The Si9912 is a dual MOSFET high-speed driver with break-before-make. It is designed to operate in high frequency dc-dc switchmode power supplies. The high-side driver is bootstrapped to handle the high voltage slew rate associated with “floating” high-side gate drivers. Each driver is capable of switching a 3000-pF load with 60-ns propogation delay and 25-ns transition time. The Si9912 comes with an internal break-before-make feature to prevent shoot-through current in the external MOSFETs. A shutdown pin is used to enable the driver. When disabled, the quiescent current of the driver is less than 5 A.

FEATURES

? 4.5- to 5.5-V Operation

? Undervoltage Lockout

? 250-kHz to 1-MHz Switching Frequency

? Shutdown Quiescent Current <5 A

? One Input PWM Signal Generates Both Drive

? Bootstrapped High-Side Drive

? Operates from 4.5- to 30-V Supply

? TTL/CMOS Compatible Input Levels

? 1-A Peak Drive Current

? Break-Before-Make Circuit

APPLICATIONS

? Multiphase Desktop CPU Supplies

? Single-Supply Synchronous Buck Converters

? Mobile Computing CPU Core Power Converters

? Standard-Synchronous Converters

? High Frequency Switching Converters

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    SI9912DY-T1-E3

  • 制造商:

    Vishay Siliconix

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1A,1A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    30ns,20ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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