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SI9910DY-T1集成電路(IC)的柵極驅動器規(guī)格書PDF中文資料

SI9910DY-T1
廠商型號

SI9910DY-T1

參數(shù)屬性

SI9910DY-T1 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

功能描述

Adaptive Power MOSFET Driver1
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

51.51 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-7 20:00:00

SI9910DY-T1規(guī)格書詳情

SI9910DY-T1屬于集成電路(IC)的柵極驅動器。由威世科技半導體制造生產(chǎn)的SI9910DY-T1柵極驅動器柵極驅動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉換應用中控制設備的信號連接到電源被控制通過的半導體設備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅動的半導體配置相關。

DESCRIPTION

The Si9910 Power MOSFET driver provides optimized gate drive signals, protection circuitry and logic level interface. Very low quiescent current is provided by a CMOS buffer and a high-current emitter-follower output stage. This efficiency allows operation in high-voltage bridge applications with “bootstrap” or “charge-pump” floating power supply techniques.

FEATURES

● dv/dt and di/dt Control

● Undervoltage Protection

● Short-Circuit Protection

● trr Shoot-Through Current Limiting

● Low Quiescent Current

● CMOS Compatible Inputs

● Compatible with Wide Range of MOSFET Devices

● Bootstrap and Charge Pump Compatible (High-Side Drive)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    SI9910DY-T1-E3

  • 制造商:

    Vishay Siliconix

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅動配置:

    高端

  • 通道類型:

    單路

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10.8V ~ 16.5V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1A,1A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    50ns,35ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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