訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>Si5908DC-T1>芯片詳情
Si5908DC-T1_VAISH_MOSFET 20V 5.9A 2.1W 40mohm @ 4.5V宏興瑞科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
Si5908DC-T1
- 功能描述:
MOSFET 20V 5.9A 2.1W 40mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏興瑞科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱小姐
- 手機(jī):
18923720076
- 詢價:
- 電話:
0755-23946805
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)205棟3樓A05
相近型號
- SI5906DUT1GE3
- SI5908DC-T1-GE3
- SI5905DC-T1-GE3
- SI5913DC
- SI5905DCT1GE3
- SI5913DCT1E3
- SI5905DC-T1-E3IC
- SI5913DC-T1-E3
- SI5905DC-T1-E3
- SI5905DCT1E3
- SI5905DCT1(VISHAY)
- SI5913DCT1GE3
- SI5913DC-T1-GE3
- SI5905DC-T1
- SI5905DCT1
- SI5905DC
- SI5915BDCT1E3
- SI5915BDC-T1-E3
- SI5905CDC-T1-GE3
- SI5905BDC-TI-E3
- SI5915BDCT1GE3
- SI5905BDC-T1-GE3
- SI5915BDC-T1-GE3
- SI5915DC
- SI5905BDCT1GE3
- SI5915DC-E3
- SI5905BDC-T1-E3
- SI5905BDCT1E3
- SI5915DCT1
- SI5904DC-TI-E3
- SI5915DC-T1
- SI5915DC-T1-C
- SI5904DC-T1-GE3
- SI5915DCT1E3
- SI5904DCT1GE3
- SI5915DC-T1-E3
- SI5915DCT1GE3
- SI5904DC-T1-E3
- SI5904DCT1E3
- SI5915DC-T1-GE3
- SI5915DC-T1IC
- SI5904DC-T1
- SI5904DC
- SI5915DC-TI
- SI5915DC-TI-E3
- SI5903DC-T1-GE3
- SI5903DCT1GE3
- SI591BD000292DG
- SI5903DC-T1-E3/BKN
- SI5903DC-T1-E3