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SI5858DU-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 6.0A 8.3W創(chuàng)新跡商城
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI5858DU-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 20V 6.0A 8.3W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
楊小姐
- 手機:
13430590551
- 詢價:
- 電話:
13430590551
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D
相近型號
- SI5857DUT1E3
- SI5902BDCD-T1-GE3
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- SI5856DC-T1-GE3
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- SI5856DC-T1-E3
- SI5902BDCT1GE3
- SI5856DCT1E3
- SI5902BDC-T1-GE3
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- SI5902DBC-T1-E3
- SI5856DC
- SI5902DC
- SI5902DC1
- SI5902DC-T1
- SI5855DC-T1-GE3
- SI5902DCT1E3
- SI5902DC-T1-E3
- SI5855DC-T1-E3IC
- SI5855DC-T1-E3
- SI5902DC-T1-GE3
- SI5855DCT1E3
- SI5855DC-T1
- SI5903DC
- SI5855DC1-E3
- SI5903DC-T1
- SI5855DC
- SI5903DCT1E3
- SI5903DC-T1-E3
- SI5855CDC-T1-GE3
- SI5903DC-T1-E3/BKN
- SI5903DCT1GE3
- SI5903DC-T1-GE3
- SI5904DC
- SI5855CDC-T1-E3
- SI5904DC-T1
- SI5855CDCT1E3
- SI5904DCT1E3
- SI5855CDCD-T1-GE3
- SI5904DC-T1-E3
- SI5855CDC1-E3
- SI5853DL-T1-E3
- SI5853DDS-T1-GE3
- SI5904DCT1GE3
- SI5853DDS-T1-E3
- SI5904DC-T1-GE3
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