訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI4778DY-T1-GE3>芯片詳情
SI4778DY-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 25V 8.0A 5.0W 23mohm @ 10V金華微盛電
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI4778DY-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 25V 8.0A 5.0W 23mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市金華微盛電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
柯小姐 13510157626
- 手機(jī):
13823749993
- 詢價:
- 電話:
0755-82550578
- 傳真:
0755-82539558
- 地址:
深圳市福田區(qū)中航路新亞洲二期電子城四樓 N4A131房間
相近型號
- SI4731-B20-GMR
- SI4812BDY-T1-GE3
- SI4730D60
- SI4812DY-T1
- SI4730-B20-GM
- SI4812DY-T1-E3
- SI4720-B20-GM
- SI4816BDY
- SI4713-B30-GMR
- SI4816BDY-T1
- SI4712DY-T1-GE3
- SI4816BDY-T1-GE3
- SI4712DY
- SI4818DY
- SI4710-B30-GMR
- SI4818DY-T1
- SI4705-D62-GMR
- SI4818DY-T1-E3
- SI4705-D60-GMR
- SI4823DY-T1-E3
- SI4703-C19-GMR
- SI4825-A10-CSR
- SI4702DY-T1
- SI4825DDY-T1-GE3
- SI4700-GMR
- SI4830CDY-T1-E3
- SI4700-B15-GMR
- SI4831-B30-GUR
- SI4700-A09-GMR
- SI4832DY-T1
- SI4686DY-T1-GE3
- SI4832DY-T1-E3
- SI4686DY-T1-E3
- SI4833DY-T1-E3
- SI4670DY-T1-GE3
- SI4835DDY
- SI4662DY
- SI4835DDY-T1-E3
- SI4638DY-T1-E3
- SI4835DDY-T1-GE3
- SI4634DY-T1-GE3
- SI4836DY-T1-E3
- SI4634DY-T1-E3
- SI4838BDY
- SI4634DY
- SI4838BDY-T1-GE3
- SI4630DY-T1-GE3
- SI4838DY-T1-E3
- SI4630DY-T1-E3
- SI4838DY-T1-GE3