訂購數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI4116DY-T1-GE3>芯片詳情
SI4116DY-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 25V 18A 5.0W 8.6mohm @ 10V柒號(hào)芯城
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SI4116DY-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 25V 18A 5.0W 8.6mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
連小若
- 手機(jī):
18922805453
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83663056
- 傳真:
0755-83209937
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓
相近型號(hào)
- SI4114G-B-GMR
- SI4123-D-GM
- SI4114DY-T1-GE3
- SI4123-D-GT
- SI4114DY-T1-E3
- SI4124DY
- SI4114DY
- SI4124DY-T1-E3
- SI4113-D-GM
- SI4124DY-T1-GE3
- SI4113-BMR
- SI4126
- SI4110DY-T1-GE3
- SI4126BM
- SI4110DY
- SI4126-BMR
- SI4108DY-T1-GE3
- SI4126DY
- SI4108DY
- SI4126DY-T1-E3
- SI4104DY
- SI4126DY-T1-GE3
- SI4102DY-T1-GE3
- SI4126-F-GMR
- SI4102DY-T1-E3
- SI4128BDY-T1-GE3
- SI4102DY
- SI4128DY
- SI4101DY-T1-GE3
- SI4128DY-T1-E3
- SI4101DY
- SI4128DY-T1-GE3
- SI4100DY-T1-GE3
- SI4100DY-T1-E3
- SI4133-BMR
- SI4100DY
- SI4133-BT
- SI4090DY-T1-GE3
- SI4133-D-GMR
- SI4090DY
- SI4133-D-GT
- SI4090BDY-T1-GE3
- SI4133-D-GTR
- SI4063
- SI4133G-BT
- SI4062DY-T1-GE3
- SI4133-GTR
- SI4060-C2A-GMR
- SI4133G-XMZ
- SI4060