訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI1013R-T1-GE3>芯片詳情
SI1013R-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V柒號芯城
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI1013R-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
連小若
- 手機:
18922805453
- 詢價:
- 電話:
0755-83663056
- 傳真:
0755-83209937
- 地址:
福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓
相近型號
- SI1013CX
- SI1016X
- SI1013-A-GMR
- SI1016X-T1-E3
- SI1012X-T1-GE3
- SI1012X-T1
- SI1016X-T1-GE3
- SI1012R-TI-GE3
- SI1020-A-GM
- SI1012R-T1-GE3
- SI-1020G
- SI1012R-T1-E3
- SI1021-A-GM
- SI1012R
- SI1021R
- SI1012CR-T1-GE3
- SI1021R-T1
- SI1012CR
- SI1021R-T1-E3
- SI1012-C-GM2R
- SI1021R-T1-GE3
- SI1012
- SI1008V
- SI1004-E-GM
- SI1022-A-GM
- SI1003-C-GM
- SI1022R
- SI1002R-T1-GE3
- SI1022R-T1
- SI1002-E-GM
- SI1022R-T1-E3
- SI1000-E-GM2R
- SI1022R-T1-GE3
- SI1000-E-GM
- SI1000-C-GMR
- SI1023-A-GM
- SI1000-C-GM
- SI1023CX-T1-GE3
- SI08-0A00-02
- SI1023X
- SI06-0A00-02
- SI1023X-T1
- SI05-0B00-00
- SI1023X-T1-E3
- SI03N06
- SI0319
- SI1023X-T1-GE3
- SI03-0B00-00
- SI1024-A-GM
- SI0301