SGH80N60UFDTU_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):SGH80N60UFDTU品牌:onsemi

資料說明:IGBT 600V 80A 195W TO3P

SGH80N60UFDTU是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-3P-3,SC-65-3的SGH80N60UFDTU晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    sgh80n60ufdtu

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    IGBT 600V 80A 195W TO3P

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SGH80N60UFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,40A

  • 開關(guān)能量:

    570μJ(開),590μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    23ns/90ns

  • 測(cè)試條件:

    300V,40A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 195W TO3P

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-3P-3L
3580
原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)歡迎詢價(jià)
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ON/安森美
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TO-3P
30000
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
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TO-220
10000
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FAI
24+
9540
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FAIRCHILD
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TO-3PN
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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FAIRCHILD
NA
20000
原裝正品
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FSC
23+
原盒原包裝
10000
全新原裝假一賠十
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FSC正品
22+23+
TO-3P
24741
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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