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SGH30N60RUFTU_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：SGH30N60RUFTU品牌：onsemi

資料說明：IGBT 600V 48A 235W TO3P

SGH30N60RUFTU是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-3P-3，SC-65-3的SGH30N60RUFTU晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    sgh30n60ruftu

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    IGBT 600V 48A 235W TO3P

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    SGH30N60RUFTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    919μJ（開），814μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    30ns/54ns

  • 測試條件：

    300V，30A，7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3PN

  • 描述：

    IGBT 600V 48A 235W TO3P

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FSC/ON
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原包裝原封 □□
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