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SGB02N120 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INENOI

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  • 廠家型號(hào)：

    SGB02N120

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INENOI

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    10000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-16 13:30:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：SGB02N120品牌：INENOI

原裝正品現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    SGB02N120

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    12 頁(yè)

  • 文件大小：

    386.07 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Fast S-IGBT in NPT-technology

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SGB02N120ATMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.6V @ 15V，2A

  • 開關(guān)能量：

    220μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    23ns/260ns

  • 測(cè)試條件：

    800V，2A，91 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO263-3-2

  • 描述：

    IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏興瑞科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    18923720076

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23946805

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)205棟3樓A05

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