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SCTW90N65G2V

Marking：SCT90N65G2V；Package：HiP247；Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C)in an HiP247 package

Features ?Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Extremelylowgatechargeandinputcapacitances Applications ?Switchingapplications ?Powersupplyforrenewableenergysystems ?HighfrequencyDC-DCconverte

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

SCTWA90N65G2V

Marking：SCT90N65G2V；Package：HiP247；Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 m廓 in an HiP247 long leads package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

SCTWA90N65G2V-4

Marking：SCT90N65G2V；Package：HiP247-4；Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 m廓 typ., 119 A in an HiP247-4 package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多SCT90N65G2V供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-31 9:02:00

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