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RSS100N03T_VBSEMI/微碧半導(dǎo)體_MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC驚羽4部

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1+
1000+
  • 廠家型號(hào)：

    RSS100N03T

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VBSEMI-微碧

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    143788

  • 產(chǎn)品封裝：

    車規(guī)-場(chǎng)效應(yīng)管

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+25+/26+27+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-10 15:18:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：RSS100N03T品牌：VBSEMI-微碧

一一有問(wèn)必回一特殊渠道一有長(zhǎng)期訂貨一備貨HK倉(cāng)庫(kù)

  • 芯片型號(hào)：

    RSS100N03TB

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大小：

    1086.12 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    RSS100N03T

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市驚羽科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉先生

  • 手機(jī)：

    13147005145

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    131-4700-5145

  • 傳真：

    075583040836

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈2031室

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