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RGWX5TS65E 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ROHM/羅姆

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原廠料號：RGWX5TS65E品牌：ROHM/羅姆器場效應(yīng)管

16年現(xiàn)貨庫存供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品

RGWX5TS65E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ROHM/羅姆器場效應(yīng)管/Rohm Semiconductor生產(chǎn)封裝TOP-247/TO-247-3的RGWX5TS65E晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    RGWX5TS65E

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ROHM【羅姆】詳情

  • 廠商全稱：

    Rohm

  • 中文名稱：

    羅姆半導(dǎo)體集團

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    RGWX5TS65EHRC11

  • 制造商：

    Rohm Semiconductor

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，75A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    59ns/243ns

  • 測試條件：

    400V，37.5A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247N

  • 描述：

    HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市特萊科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李生

  • 手機：

    17727581162

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82555226

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路中國振華集團(華康)2棟516室(海外裝飾大廈右邊)

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