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RFD12N06RLESM	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063?,VGS=10V -rDS(ON)=0.071?,VGS=5V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com ?PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RFD12N06RLESM	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs TheseN-ChannellogiclevelESDprotectedpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD12N06RLESM	文件：896.99 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
RFD12N06RLESM9A	文件：503.43 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel MOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
RFD12N06RLESM9A	文件：844.26 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ?VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
RFP12N06	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A,60V,0.071Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063?,VGS=10V -rDS(ON)=0.071?,VGS=5V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com ?PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RFP12N06RLE	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A,60V,0.135Ohm,N-Channel,LogicLevel,PowerMOSFETs TheseN-ChannellogiclevelESDprotectedpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP12N06RLE	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A,60V,0.071Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063?,VGS=10V -rDS(ON)=0.071?,VGS=5V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com ?PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RFP12N06RLE	文件：1.31321 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SDP12N06	文件：1.1062 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SG12N06DP	文件：202.12 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT
SG12N06DP	文件：198.75 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SG12N06DT	文件：108.84 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SG12N06DT	文件：112.49 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT
SG12N06P	文件：198.75 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SG12N06P	文件：202.12 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT
SG12N06T	文件：112.49 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT
SG12N06T	文件：108.84 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
STD12N06	文件：177.93 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.1? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTED CHARACTERIZATION ■THR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STD12N06L	文件：176.25 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.115? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■LOGICLEVELCOMPATIBLEINPUT ■175oCOPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTED CH	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
RFD12N06RLESM
制造商：
Fairchild Semiconductor Corporation
功能描述：
MOSFET N D-PAK
功能描述：
MOSFET, N, D-PAK
功能描述：
MOSFET, N, D-PAK; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
17A; Drain Source Voltage
Vds：
60V; On Resistance
Rds(on)：
70mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
3V; Power Dissipation
Pd：
49W ;RoHS
Compliant：
Yes

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市亞泰盈科電子有限公司	RFD12N06RLESM	FAIRCHILD		TO-252	30216	提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	詢價(jià)
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