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PTVA093002TCV1R250分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
PTVA093002TCV1R250 |
參數(shù)屬性 | PTVA093002TCV1R250 封裝/外殼為H-37248G-4/2;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 300 W, 50 V, 703 ??960 MHz |
封裝外殼 | H-37248G-4/2 |
文件大小 |
210.51 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-13 16:35:00 |
人工找貨 | PTVA093002TCV1R250價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
PTVA093002TCV1R250規(guī)格書詳情
PTVA093002TCV1R250屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTVA093002TCV1R250晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
PTVA093002TCV1R250XUMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
LDMOS(雙),共源
- 增益:
18.5dB
- 額定電流(安培):
10μA
- 功率 - 輸出:
300W
- 封裝/外殼:
H-37248G-4/2
- 供應商器件封裝:
H-49248H-4
- 描述:
IC AMP RF LDMOS
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MACOM |
24+ |
H-36275-4 |
952 |
專注MACOM品牌原裝正品代理分銷,認準水星電子 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
5177 |
深圳現(xiàn)貨 |
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INFINEON/英飛凌 |
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7096 |
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Infineon Technologies |
22+ |
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INFINEON/英飛凌 |
22+ |
H-49248H-4 |
20000 |
原裝現(xiàn)貨,實單支持 |
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Infineon Technologies |
23+ |
9000 |
原裝正品,支持實單 |
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