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PTVA047002EV-V1-R0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTVA047002EV-V1-R0
廠商型號(hào)

PTVA047002EV-V1-R0

參數(shù)屬性

PTVA047002EV-V1-R0 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 700 W, 50 V, 470 – 806 MHz
IC AMP RF LDMOS

文件大小

423.05 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-13 17:46:00

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PTVA047002EV-V1-R0規(guī)格書詳情

PTVA047002EV-V1-R0屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PTVA047002EV-V1-R0晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The PTVA047002EV LDMOS FET is designed for use in power amplifier

applications in the 470 MHz to 806 MHz frequency band. Features

include high gain and thermally-enhanced package with bolt-down flange.

Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device

provides excellent thermal performance and superior reliability.

Features

? Input matched

? Integrated ESD protection

? Low thermal resistance

? High gain

? Thermally enhanced package

? RoHS compliant

? Capable of withstanding a 10:1 VSWR at

130 W average power under DVB-T signal

condition

? Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/

JEDEC JS-001)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PTVA047002EV-V1-R0

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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