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PTB20175中文資料愛立信數據手冊PDF規(guī)格書

PTB20175
廠商型號

PTB20175

功能描述

55 Watts, 1.9-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor

文件大小

579.57 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商 Ericsson Microelectronics
企業(yè)簡稱

Ericsson愛立信

中文名稱

愛立信公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-3-14 23:00:00

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PTB20175規(guī)格書詳情

Description

The 20175 is a class AB, NPN common emitter RF power transistor intended for 26 Vdc operation from 1.9 to 2.0 GHz. It is rated at 55 watts minimum output power and may be used for both CW and PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization are used to ensure excellent device reliability. 100 lot traceability is standard.

? 55 Watts, 1.9–2.0 GHz

? Class AB Characteristics

? 40 Collector Efficiency at 55 Watts

? Gold Metallization

? Silicon Nitride Passivated

產品屬性

  • 型號:

    PTB20175

  • 功能描述:

    射頻放大器 RF Bipolar Trans

  • RoHS:

  • 制造商:

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 類型:

    Low Noise Amplifier

  • 工作頻率:

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB:

    18.5 dBm

  • 輸出截獲點:

    37.5 dBm

  • 功率增益類型:

    32 dB

  • 噪聲系數:

    0.85 dB

  • 工作電源電壓:

    5 V

  • 電源電流:

    125 mA

  • 測試頻率:

    2.6 GHz

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    QFN-16

  • 封裝:

    Reel

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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