首頁>PHT8N06LT>芯片詳情

PHT8N06LT_NEXPERIA/安世_MOSFET N SOT-223匯萊威一部

PHT8N06LT

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    PHT8N06LT

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NEXPERIA/安世

  • 庫存數(shù)量：

    503335

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-223

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-23 17:06:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：PHT8N06LT品牌：NEXPERIA/安世

免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系

  • 芯片型號(hào)：

    PHT8N06LT

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    NEXPERIA【安世】詳情

  • 廠商全稱：

    Nexperia B.V. All rights reserved

  • 中文名稱：

    安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    171.36 kb

  • 資料說明：

    TrenchMOS? transistor Logic level FET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    PHT8N06LT

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    MOSFET N SOT-223

  • 功能描述：

    MOSFET, N, SOT-223

  • 功能描述：

    MOSFET, N, SOT-223; Transistor

  • Polarity：

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id：

    7.5A; Drain Source Voltage

  • Vds：

    55V; On Resistance

  • Rds(on)：

    80mohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    5V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ：

    1.5V; Power Dissipation

  • Pd：

    8.3W; ;RoHS

  • Compliant：

    Yes

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    18126328660

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82767689

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康大夏2棟503

相近型號(hào)